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15+ Dhs. 9.93 Dhs. 148.95
25+ Dhs. 9.71 Dhs. 242.75
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Renesas 71024S20YGI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La Renesas 71024S20YGI est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 20 ns et fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 20 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre un équilibre optimal entre densité et accessibilité
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V offre une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des conditions environnementales difficiles.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 32-BSOJ (32-SOJ) permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
  • Interface parallèle : une interface mémoire simple simplifie l’intégration du système

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les mémoires tampons de microcontrôleurs, la mémoire cache, les systèmes d'acquisition de données, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, les équipements de surveillance médicale et les systèmes de commutation de télécommunications.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir les solutions de mémoire Renesas ?

Renesas Electronics Corporation est un leader mondial de la fabrication de semi-conducteurs, reconnu pour la production de composants de mémoire haute fiabilité répondant aux exigences rigoureuses des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie. Chaque circuit intégré SRAM est soumis à des contrôles et des tests de qualité rigoureux afin de garantir des performances constantes et une fiabilité à long terme, même dans des environnements exigeants.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY