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Renesas 71024S25TYG - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La 71024S25TYG de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 25 ns et à son organisation mémoire fiable de 128 Ko x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 25 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
  • Boîtier CMS : boîtier 32-BSOJ/32-SOJ optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM asynchrone est parfaitement adaptée aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux systèmes d'acquisition de données, aux dispositifs de réseau et à toute application nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès parallèle.

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Spécifications techniques

Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés de mémoire pour vos systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs authentiques, ou visitez notre blog technique pour accéder à des notes d'application, des conseils de conception et des analyses du secteur.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ