Renesas Electronics Corporation 71024S25TYG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 7.27 | Dhs. 7.27 |
| 15+ | Dhs. 7.03 | Dhs. 105.45 |
| 25+ | Dhs. 6.88 | Dhs. 172.00 |
| 50+ | Dhs. 6.49 | Dhs. 324.50 |
| 100+ | Dhs. 5.73 | Dhs. 573.00 |
| N+ | Dhs. 1.15 | Price Inquiry |
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Renesas 71024S25TYG8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La puce 71024S25TYG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Grâce à son organisation 128 Ko x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 25 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les opérations nécessitant un traitement intensif des données.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 25 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une gestion optimale des données à l’échelle de l’octet
- Interface parallèle fiable : interface parallèle asynchrone éprouvée pour une intégration transparente
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conception pour montage en surface : boîtier 32-BSOJ pour une implantation efficace sur le circuit imprimé et un assemblage automatisé
- Conditionnement prêt pour la production : disponible en bande et bobine pour la fabrication en grande série
Applications idéales
Idéale pour les automates embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les systèmes d'acquisition de données et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide à accès parallèle, la mémoire 71024S25TYG8 offre la vitesse et la fiabilité exigées par les fabricants d'équipement d'origine (OEM) et les intégrateurs de systèmes professionnels.
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Spécifications techniques
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 25 ns |
| Temps d'accès | 25 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
71024S25TYG8.pdf