Renesas Electronics Corporation 71024S25TYGI8

Renesas 71024S25TYGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

Le circuit intégré 71024S25TYGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit, conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son organisation 128 Ko x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 25 ns, ce composant offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 25 ns garantissent des opérations de données rapides pour les applications critiques.
• Architecture mémoire flexible : une capacité de 1 Mbit organisée en 128 Ko x 8 offre un accès aux données optimal à l’échelle de l’octet.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et plage de température de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
• Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
• Conception pour montage en surface : boîtier 32-BSOJ/32-SOJ optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint.
• Emballage en bande et bobine : Emballage prêt pour la production en grande série

Applications idéales

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux contrôleurs embarqués, aux systèmes d'automatisation industrielle, aux équipements de télécommunications, aux dispositifs de réseau, aux systèmes d'acquisition de données et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec une disponibilité garantie sur une longue durée de vie.

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Spécifications techniques

Ressources connexes

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