Renesas Electronics Corporation 71124S20YG
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.19 | Dhs. 10.19 |
| 15+ | Dhs. 9.85 | Dhs. 147.75 |
| 25+ | Dhs. 9.64 | Dhs. 241.00 |
| 50+ | Dhs. 9.10 | Dhs. 455.00 |
| 100+ | Dhs. 8.03 | Dhs. 803.00 |
| N+ | Dhs. 1.61 | Price Inquiry |
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Renesas 71124S20YG - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit
Le circuit intégré 71124S20YG de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son organisation mémoire 128 Ko x 8 et à son temps d'accès ultrarapide de 20 ns, cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et un fonctionnement fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre un équilibre optimal pour la conception de systèmes embarqués.
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs, les FPGA et autres systèmes numériques
- Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V permet de répondre à diverses exigences système.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les applications commerciales
- Boîtier CMS : le boîtier 32-BSOJ/32-SOJ permet une conception efficace du circuit imprimé et un assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
Spécifications techniques
Applications
La SRAM 71124S20YG est idéale pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense nécessitant une mémoire à haute fiabilité
- Électronique automobile et unités de contrôle moteur (ECU)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
- Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
- Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
- Systèmes embarqués nécessitant un stockage rapide et non persistant
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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de haute qualité pour les applications critiques. Notre vaste catalogue comprend une gamme complète de solutions de mémoire, notamment SRAM, DRAM, Flash et des circuits intégrés de mémoire spécialisés, provenant de fabricants leaders tels que Renesas, Micron, Cypress et ISSI.
Nous comprenons les exigences rigoureuses des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. Chaque composant que nous fournissons fait l'objet de contrôles qualité stricts afin de garantir sa fiabilité et ses performances dans vos systèmes critiques.
Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |

71124S20YG.pdf