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Renesas 71124S20YGI - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La 71124S20YGI de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès et un cycle d'écriture ultrarapides de 20 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès et un traitement rapides des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 20 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une structure de données optimale pour les contrôleurs embarqués.
  • Large plage de fonctionnement : la plage de températures de -40 °C à 85 °C convient aux environnements industriels et automobiles.
  • Alimentation fiable : la plage de tension de 4,5 V à 5,5 V assure un fonctionnement stable dans diverses conditions d'alimentation.
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Conception pour montage en surface : boîtier 32-BSOJ (largeur de 10,16 mm) optimisé pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés à espace restreint.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiale
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic médical et surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Mise en mémoire tampon des données et mémoire cache dans les systèmes embarqués

Pourquoi choisir le Renesas 71124S20YGI ?

Renesas Electronics Corporation est un leader mondial de l'innovation dans le domaine des semi-conducteurs, reconnu pour la robustesse et les hautes performances de ses composants, qui répondent aux exigences rigoureuses des applications critiques et à haute fiabilité. La mémoire 71124S20YGI associe une technologie SRAM asynchrone éprouvée à des spécifications industrielles, garantissant un fonctionnement fiable même dans les environnements les plus exigeants.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY