Renesas Electronics Corporation 71124S20YGI8
Prix habituel
Dhs. 9.63
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Dhs. 10.15
Prix promotionnel
Dhs. 9.63
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.63 | Dhs. 9.63 |
| 15+ | Dhs. 9.34 | Dhs. 140.10 |
| 25+ | Dhs. 9.14 | Dhs. 228.50 |
| 50+ | Dhs. 8.63 | Dhs. 431.50 |
| 100+ | Dhs. 7.61 | Dhs. 761.00 |
| N+ | Dhs. 1.52 | Price Inquiry |
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Renesas 71124S20YGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La Renesas 71124S20YGI8 est une mémoire SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Grâce à son temps d'accès exceptionnel de 20 ns et à sa plage de températures de fonctionnement robuste de -40 °C à 85 °C, cette solution mémoire offre des performances constantes même dans les environnements embarqués les plus exigeants.
Principaux avantages et applications
- Aérospatiale et défense : Mémoire tampon et cache de données fiable pour les systèmes avioniques et les unités de commande de vol
- Électronique automobile : mémoire à accès rapide pour les modules de commande du moteur, les systèmes ADAS et les plateformes d’infodivertissement
- Automatisation industrielle : stockage de données haute vitesse pour les automates programmables, les contrôleurs robotiques et les équipements d’automatisation des processus.
- Dispositifs médicaux : mémoire fiable pour les équipements de diagnostic et les systèmes de surveillance des patients
- Télécommunications : Mémoire tampon à faible latence pour l'infrastructure réseau et les dispositifs de communication
Spécifications techniques complètes
Points forts techniques
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : architecture 128 Ko x 8 optimisée pour le traitement des données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension : compatibilité avec une alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
- Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité optimale en environnement difficile
- Boîtier compact : conception à montage en surface 32-SOJ pour des circuits imprimés compacts
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
71124S20YGI8.pdf
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