Renesas Electronics Corporation 71256SA12PZG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.06 | Dhs. 15.06 |
| 15+ | Dhs. 14.58 | Dhs. 218.70 |
| 25+ | Dhs. 14.27 | Dhs. 356.75 |
| 50+ | Dhs. 13.47 | Dhs. 673.50 |
| 100+ | Dhs. 11.89 | Dhs. 1,189.00 |
| N+ | Dhs. 2.38 | Price Inquiry |
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Renesas 71256SA12PZG8 - SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits
La 71256SA12PZG8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone 256 Kbits haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications, du médical et de l'électronique grand public. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et à une interface parallèle, cette solution mémoire offre des performances fiables pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une longue durée de vie.
Principales caractéristiques et avantages :
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Boîtier CMS : 28-TSOP (28-TSSOP) pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales des marchés mondiaux
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Applications idéales :
Cette SRAM asynchrone est idéale pour la mémoire cache, le stockage tampon, l'enregistrement de données, les contrôleurs embarqués, les équipements de communication et toute application nécessitant une mémoire volatile rapide, d'une fiabilité éprouvée et d'une disponibilité à long terme.
Pourquoi choisir Renesas ?
Renesas Electronics Corporation est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour la qualité exceptionnelle de ses produits, son assistance technique complète et son engagement sur le long terme. Le composant 71256SA12PZG8 bénéficie d'une traçabilité complète et d'une documentation technique détaillée pour faciliter son intégration.
Spécifications techniques complètes :
Toutes les spécifications sont susceptibles d'être modifiées. Veuillez consulter la fiche technique officielle de Renesas pour obtenir des informations techniques complètes et des recommandations de conception.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 Kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP |
| RoHS |

71256SA12PZG8.pdf