Renesas Electronics Corporation 71256SA15PZGI8

Renesas 71256SA15PZGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

Le circuit intégré 71256SA15PZGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 32 K x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon de données en temps réel, la mémoire cache et les applications de traitement à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : la configuration 32K x 8 bits offre une architecture mémoire polyvalente
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Qualité industrielle : plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
• Gain de place : Boîtier compact 28-TSOP pour montage en surface (largeur de 11,80 mm)
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle simple et rapide pour une intégration facile
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Cette SRAM haute vitesse est idéale pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les systèmes d'acquisition de données, la mémoire de support FPGA/ASIC, les routeurs et commutateurs réseau, l'électronique automobile et l'instrumentation médicale nécessitant une mémoire volatile fiable et à accès rapide.

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Spécifications techniques

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