Renesas Electronics Corporation 71256SA20PZG8

Renesas 71256SA20PZG8 - SRAM asynchrone haute vitesse 256 Kbits

La mémoire SRAM 71256SA20PZG8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 256 kbits conçue pour les applications embarquées critiques nécessitant un stockage de données rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 20 ns et à une interface parallèle asynchrone, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes de contrôle industriels, les équipements de télécommunications, l'électronique automobile et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
• Organisation flexible : architecture mémoire 32 Ko x 8 optimisée pour la gestion des données à l’échelle de l’octet
• Fonctionnement asynchrone : l’interface parallèle simplifie l’intégration sans nécessiter de synchronisation d’horloge.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants.
• Boîtier CMS : Le format compact 28-TSOP permet un gain de place sur la carte dans les conceptions denses.
• Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour :

• Systèmes d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
• équipement d'infrastructure de télécommunications
• Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
• Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
• Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
• Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache

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