Renesas Electronics Corporation 71256SA20YG8

Renesas 71256SA20YG8 - SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La 71256SA20YG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haut de gamme de 256 kbits conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeant des solutions de mémoire rapides et fiables. Avec un temps d'accès ultrarapide de 20 ns et une organisation de 32 K x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les opérations critiques en termes de temps.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une latence minimale pour les opérations de données à haut débit.
• Organisation flexible : configuration 32 Ko x 8 bits optimisée pour la gestion des données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes 5 V standard.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
• Boîtier CMS : 28-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) pour un assemblage automatisé et un gain de place.
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle simple et rapide pour une intégration facile
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est idéale pour la mémoire cache, le stockage tampon, l'enregistrement de données, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les systèmes embarqués nécessitant des performances similaires à celles de la mémoire non volatile avec la vitesse de la mémoire volatile.

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Spécifications techniques complètes

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