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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 355,908.82 Dhs. 355,908.82
15+ Dhs. 344,669.59 Dhs. 5,170,043.85
25+ Dhs. 337,176.77 Dhs. 8,429,419.25
50+ Dhs. 318,444.73 Dhs. 15,922,236.50
100+ Dhs. 280,980.65 Dhs. 28,098,065.00
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Renesas 71256SA20YGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

La mémoire SRAM asynchrone 71256SA20YGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire de qualité supérieure de 256 kbits, conçue pour les applications à haute fiabilité dans les systèmes industriels, automobiles et embarqués. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon de données critiques, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 20 ns garantissent une récupération et un stockage rapides des données pour les applications exigeantes.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32 K x 8 (capacité totale de 256 Kbits) offre une gestion flexible des données pour les contrôleurs et processeurs embarqués.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la compatibilité avec les tensions d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V assure une intégration transparente avec les systèmes 5 V anciens et modernes.
  • Plage de températures industrielles : la plage de fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit des performances fiables même dans des conditions environnementales difficiles.
  • Technologie de montage en surface : le boîtier 28-BSOJ (28-SOJ) permet des agencements de circuits imprimés compacts et des processus d’assemblage automatisés.
  • Technologie SRAM volatile : cycles de lecture/écriture rapides sans mécanisme d’usure, idéale pour les mises à jour fréquentes des données.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal dans les applications microcontrôleur et FPGA

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

La mémoire SRAM asynchrone 71256SA20YGI8 est conçue pour les applications critiques, notamment :

  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels nécessitant une mise en mémoire tampon des données rapide et fiable
  • Électronique automobile et calculateurs de gestion moteur (ECU) fonctionnant dans des plages de températures étendues
  • Équipements de télécommunications et infrastructure de réseau
  • Dispositifs médicaux et instruments nécessitant un accès mémoire déterministe
  • Systèmes aérospatiaux et de défense soumis à des exigences de fiabilité rigoureuses
  • Mises à niveau des systèmes existants et assistance produit à long terme

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY