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Renesas 71256SA25YG - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La 71256SA25YG de Renesas Electronics est une mémoire SRAM (mémoire vive statique) haute vitesse de 256 kilobits conçue pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 25 nanosecondes et à une interface parallèle asynchrone, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 25 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32 Ko x 8 offre un accès flexible aux données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes logiques 5 V standard.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants
  • Boîtier CMS : Boîtier 28-BSOJ/28-SOJ compact pour assemblage automatisé
  • Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d’horloge
  • Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée à la mise en mémoire tampon des données des microcontrôleurs, à la mémoire cache des systèmes embarqués, aux systèmes de contrôle industriels, aux équipements de télécommunications, à l'électronique automobile, aux instruments de test et de mesure, ainsi qu'aux mises à niveau des systèmes existants nécessitant des composants authentiques à longue durée de vie.

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Spécifications techniques complètes

Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 25 ns
Temps d'accès 25 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY