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15+ Dhs. 344,646.13 Dhs. 5,169,691.95
25+ Dhs. 337,153.82 Dhs. 8,428,845.50
50+ Dhs. 318,423.06 Dhs. 15,921,153.00
100+ Dhs. 280,961.52 Dhs. 28,096,152.00
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Renesas 7164S20YG8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 64 kbits

La 7164S20YG8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire vive statique (SRAM) 64 Kbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire 8K x 8 et d'un temps d'accès ultrarapide de 20 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et un stockage de données volatiles fiable.

Conçu pour une durabilité et des performances optimales, le 7164S20YG8 fonctionne sur une plage de tension d'alimentation de 4,5 V à 5,5 V et de manière fiable à des températures allant de 0 °C à 70 °C. Son boîtier CMS 28-BSOJ (largeur de 7,62 mm) assure la compatibilité avec les processus d'assemblage de circuits imprimés modernes tout en conservant des caractéristiques électriques robustes pour les applications critiques.

Spécifications techniques

Produits et ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 64 Kbits
Organisation de la mémoire 8K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY