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Renesas 71V016SA10BF - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit

La 71V016SA10BF de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et à son interface parallèle, ce composant mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués critiques en termes de temps.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications en temps réel.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
  • Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 3,15 V à 3,6 V compatible avec la plupart des systèmes 3,3 V
  • Performances fiables : Plage de températures commerciales (0 °C à 70 °C) adaptée aux environnements industriels
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 48-CABGA (7 x 7 mm) permet de gagner de la place sur la carte.
  • Interface parallèle : accès direct à la mémoire sans protocoles série complexes

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux applications avioniques aérospatiales, aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux équipements de télécommunications et aux applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse où un accès mémoire rapide et déterministe est essentiel.

Spécifications techniques complètes

Qualité et traçabilité

En tant que distributeur agréé, nous fournissons une documentation complète de traçabilité, la certification de conformité RoHS/REACH et une assistance à l'intégration incluant des fiches techniques et des schémas de référence. Tous les composants proviennent directement de Renesas, garantissant leur authenticité et leur disponibilité à long terme.

Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs de mémoire, incluant les solutions SRAM, DRAM, Flash et EEPROM pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Consultez le site web de HQICKEY pour découvrir notre catalogue complet de dispositifs semi-conducteurs haute fiabilité, ou visitez notre blog Actualités et Techniques pour vous tenir informé des dernières tendances, annonces de produits et notes d'application.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 10 ns
Temps d'accès 10 ns
Tension - Alimentation 3,15 V ~ 3,6 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-LFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-CABGA (7x7)