Renesas Electronics Corporation Renesas 71V016SA10BFGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM 1 Mbit, 10 ns, boîtier CABGA 48 broches

Renesas 71V016SA10BFGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM 71V016SA10BFGI8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et à son interface parallèle, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et médicaux.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3,15 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Montage en surface compact : le boîtier CABGA 48 broches (7 x 7 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour la mise en mémoire tampon à haute vitesse, la mémoire cache, l'enregistrement de données, les équipements réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et les systèmes aérospatiaux nécessitant des performances similaires à celles des mémoires non volatiles avec des capacités de lecture/écriture instantanées.

Spécifications techniques

Distributeur agréé : Nous fournissons des composants Renesas authentiques avec traçabilité complète, assistance technique et livraison internationale. Contactez-nous pour connaître nos tarifs dégressifs, nos options de conditionnement sur bande ou notre assistance à l’intégration.