Renesas Electronics Corporation 71V016SA10PHGI8

71V016SA10PHGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce 71V016SA10PHGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haut de gamme de 1 Mbit, conçue pour les systèmes embarqués haute vitesse et les applications industrielles. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM volatile offre des performances d'interface parallèle fiables pour les applications critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les architectures de microcontrôleurs 16 bits
• Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels difficiles.
• Alimentation stable : plage de tension de 3,15 V à 3,6 V compatible avec les systèmes standard 3,3 V.
• Boîtier compact : boîtier CMS 44-TSOP II (largeur 0,400") pour des circuits imprimés compacts
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications idéales

Idéal pour les contrôleurs embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications, les dispositifs de réseau, les systèmes d'acquisition de données et les implémentations de mémoire cache haute vitesse où un stockage volatil rapide et fiable est essentiel.

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Spécifications techniques complètes

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