Renesas Electronics Corporation 71V016SA12BFG

Renesas 71V016SA12BFG - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM 71V016SA12BFG de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation de 64 Ko x 16, cette SRAM asynchrone offre des performances fiables pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Format compact : Boîtier CMS 48-CABGA (7 x 7 mm) peu encombrant
• Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C pour les applications commerciales
• Interface parallèle : intégration simple et directe avec les microcontrôleurs et les processeurs
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Applications idéales

Idéal pour les équipements de réseau, les systèmes de télécommunications, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable avec accès parallèle.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir Renesas ?

Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour sa qualité, sa fiabilité et son innovation. La puce 71V016SA12BFG bénéficie de plusieurs décennies d'expertise en technologies de mémoire et offre aux ingénieurs une solution éprouvée, assortie d'un support technique complet et d'engagements de disponibilité à long terme.

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