Renesas Electronics Corporation 71V016SA12BFGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 15.85 | Dhs. 15.85 |
| 15+ | Dhs. 15.34 | Dhs. 230.10 |
| 25+ | Dhs. 15.00 | Dhs. 375.00 |
| 50+ | Dhs. 14.17 | Dhs. 708.50 |
| 100+ | Dhs. 12.50 | Dhs. 1,250.00 |
| N+ | Dhs. 2.50 | Price Inquiry |
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Renesas 71V016SA12BFGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La 71V016SA12BFGI8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit à haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre une gestion flexible des données
- Large plage de températures de fonctionnement : Qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Montage en surface compact : le boîtier CABGA 48 broches (7 x 7 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications idéales
Idéal pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mise en mémoire tampon à haute vitesse, une mémoire cache ou un stockage de données avec accès à une interface parallèle.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir Renesas SRAM ?
Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, fort de plusieurs décennies d'expertise dans les technologies de mémoire. La série 71V016SA offre une fiabilité éprouvée, un support technique étendu et une traçabilité complète, des atouts essentiels pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie.
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe pour obtenir des fiches techniques, des notes d'application et des solutions personnalisées adaptées aux exigences de votre projet.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-LFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (7x7) |
| RoHS |  |
71V016SA12BFGI8.pdf