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71V016SA12PHGI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La puce 71V016SA12PHGI de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 12 ns et à son interface parallèle, ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables pour les systèmes à microcontrôleur, la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les applications de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques.
  • Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes à microcontrôleur 16 bits
  • Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements difficiles
  • Boîtier compact : boîtier CMS 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm) pour des circuits imprimés compacts
  • Interface asynchrone : une interface parallèle simple élimine la complexité de la synchronisation d'horloge

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et les systèmes d'acquisition de données. Sa conception asynchrone simplifie l'intégration avec une large gamme de microcontrôleurs et de processeurs.

Garantie de qualité et d'authenticité

Chez HQICKEY, nous fournissons des composants Renesas 100 % authentiques, avec une traçabilité complète et une disponibilité à long terme. Chaque circuit intégré provient directement de distributeurs agréés et bénéficie du soutien de notre équipe d'assistance technique dédiée pour vous accompagner dans vos projets d'intégration et de conception.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY