Renesas Electronics Corporation 71V016SA12YG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,884.59 | Dhs. 355,884.59 |
| 15+ | Dhs. 344,646.13 | Dhs. 5,169,691.95 |
| 25+ | Dhs. 337,153.82 | Dhs. 8,428,845.50 |
| 50+ | Dhs. 318,423.06 | Dhs. 15,921,153.00 |
| 100+ | Dhs. 280,961.52 | Dhs. 28,096,152.00 |
| N+ | Dhs. 56,192.30 | Price Inquiry |
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71V016SA12YG8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone 71V016SA12YG8 de Renesas Electronics est une mémoire haute fiabilité de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce dispositif de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 12 ns et un fonctionnement fiable dans une plage de températures allant de 0 °C à 70 °C.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes à microprocesseur 16 bits
- Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Boîtier CMS : 44-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé
- Qualité industrielle : Fiabilité éprouvée pour les environnements de systèmes embarqués exigeants
Applications idéales
Idéal pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache, les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, l'électronique automobile et les infrastructures de télécommunications où une mémoire volatile rapide et fiable est essentielle.
Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
71V016SA12YG8.pdf