Renesas Electronics Corporation 71V016SA15PHGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 10.08 | Dhs. 10.08 |
| 15+ | Dhs. 9.75 | Dhs. 146.25 |
| 25+ | Dhs. 9.54 | Dhs. 238.50 |
| 50+ | Dhs. 9.01 | Dhs. 450.50 |
| 100+ | Dhs. 7.95 | Dhs. 795.00 |
| N+ | Dhs. 1.59 | Price Inquiry |
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Renesas 71V016SA15PHGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM 71V016SA15PHGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire de 64 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 15 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un accès rapide aux données et une faible latence.
Conçu pour les applications critiques, ce composant de mémoire volatile fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures, de -40 °C à 85 °C, avec une tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V. Le boîtier CMS TSOP II 44 broches offre d'excellentes performances thermiques et un encombrement réduit pour les circuits imprimés haute densité. Disponible en conditionnement sur bande coupée ou sur bande et bobine, le 71V016SA15PHGI8 offre une grande flexibilité d'approvisionnement pour le prototypage et la production en série.
Principales caractéristiques et avantages :
- Accès ultra-rapide : temps d’accès de 15 ns et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour des opérations de données à haute vitesse.
- Organisation flexible : interface parallèle 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes à microcontrôleur et processeur 16 bits
- Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures industrielles de -40 °C à 85 °C
- Conception basse consommation : tension d'alimentation de 3 V à 3,6 V pour un fonctionnement écoénergétique
- Performances fiables : Technologie SRAM asynchrone sans besoin de rafraîchissement
- Format compact : boîtier CMS 44-TSOP II (largeur de 10,16 mm)
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications typiques : mémoire cache haute vitesse, mise en mémoire tampon des données, contrôleurs embarqués, automatisation industrielle, calculateurs automobiles, dispositifs médicaux, équipements de télécommunications et systèmes aérospatiaux nécessitant un accès mémoire déterministe.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |

71V016SA15PHGI8.pdf