Renesas Electronics Corporation 71V016SA15YG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,884.59 | Dhs. 355,884.59 |
| 15+ | Dhs. 344,646.13 | Dhs. 5,169,691.95 |
| 25+ | Dhs. 337,153.82 | Dhs. 8,428,845.50 |
| 50+ | Dhs. 318,423.06 | Dhs. 15,921,153.00 |
| 100+ | Dhs. 280,961.52 | Dhs. 28,096,152.00 |
| N+ | Dhs. 56,192.30 | Price Inquiry |
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71V016SA15YG8 - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit
La 71V016SA15YG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant un stockage de données rapide et fiable. Grâce à son organisation mémoire de 64 Ko x 16 et son temps d'accès ultrarapide de 15 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : temps d’accès de 15 ns et temps de cycle d’écriture de 15 ns pour des opérations de données à haute vitesse
- Organisation optimale : la configuration 64K x 16 offre un accès efficace au niveau du mot
- Large plage de tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système flexible
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Conception pour montage en surface : boîtier 44-BSOJ (44-SOJ) pour un assemblage automatisé et une optimisation de l’espace.
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un débit maximal
- Mémoire volatile : technologie SRAM pour une lecture/écriture instantanée sans mécanisme d'usure
Spécifications techniques
Applications
La carte SRAM 71V016SA15YG8 est idéale pour :
- Mémoire cache dans les processeurs embarqués et les microcontrôleurs
- Mémoire tampon dans les systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
- stockage temporaire de données dans les équipements d'automatisation industrielle
- Infrastructure de réseau et de télécommunications
- Unités de commande électroniques automobiles (ECU)
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité pour les applications critiques. Notre gamme de semi-conducteurs mémoire comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM de fabricants leaders tels que Renesas Electronics Corporation.
Chaque composant que nous fournissons provient directement de distributeurs agréés et fait l'objet de contrôles qualité rigoureux. Que vous conceviez des systèmes aérospatiaux, de l'électronique automobile ou des équipements de contrôle industriel, vous pouvez faire confiance à HQICKEY pour vous fournir les composants d'origine dont vos projets ont besoin.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
| RoHS |  |
71V016SA15YG8.pdf