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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 15.25 Dhs. 15.25
15+ Dhs. 14.75 Dhs. 221.25
25+ Dhs. 14.43 Dhs. 360.75
50+ Dhs. 13.63 Dhs. 681.50
100+ Dhs. 12.02 Dhs. 1,202.00
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Renesas 71V016SA20BFG8 - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse de 1 Mbit

La SRAM asynchrone 71V016SA20BFG8 de Renesas Electronics est une mémoire haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 20 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les applications industrielles, de télécommunications et d'électronique grand public.

Caractéristiques principales

  • Capacité de mémoire de 1 Mbit - Organisation 64K x 16 pour un stockage de données flexible
  • Temps d'accès ultra-rapide de 20 ns – Idéal pour les applications critiques en termes de temps.
  • Interface parallèle - Accès direct à la mémoire pour un débit maximal
  • Fonctionnement à basse tension – Alimentation de 3 V à 3,6 V pour une efficacité énergétique optimale
  • Boîtier CMS 48-CABGA - Format compact 7x7 mm pour les conceptions à espace restreint
  • Plage de températures industrielles : fonctionnement de 0 °C à 70 °C pour des performances fiables
  • Conforme à la directive RoHS - Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications

Cette mémoire SRAM asynchrone est idéale pour la mise en mémoire tampon, la mise en cache et le stockage temporaire de données dans les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et l'électronique grand public haute performance.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir Renesas 71V016SA20BFG8 ?

Renesas Electronics est un leader reconnu dans la fabrication de semi-conducteurs, fort de plusieurs décennies d'expérience dans la fourniture de solutions de mémoire haute qualité et à longue durée de vie. La mémoire 71V016SA20BFG8 offre une fiabilité éprouvée, une traçabilité complète et un support technique étendu, fruits de l'engagement de Renesas en faveur de la pérennité des produits et de la stabilité de la chaîne d'approvisionnement.

Besoin de documentation technique ? Accédez à la fiche technique complète et aux notes d’application via nos ressources produit ou contactez notre équipe technique pour obtenir de l’aide à l’intégration.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-LFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-CABGA (7x7)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY