Renesas Electronics Corporation 71V016SA20BFGI

Renesas 71V016SA20BFGI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La mémoire SRAM 71V016SA20BFGI de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) de 1 mégabit, haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un stockage de données volatiles rapide et fiable. Grâce à son temps d'accès de 20 nanosecondes et son interface parallèle, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes industriels, automobiles, de télécommunications et informatiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : architecture mémoire 64 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C, adaptée aux environnements industriels et automobiles.
• Format compact : le boîtier CABGA 48 broches (7 x 7 mm) à montage en surface permet un gain de place précieux sur la carte.
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Spécifications techniques

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de réseau, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable avec une architecture de bus parallèle.

Qualité et fiabilité

Fabriqué par Renesas Electronics Corporation, un leader mondial des solutions semi-conductrices, ce composant SRAM répond à des normes de qualité rigoureuses et bénéficie d'une documentation technique complète et d'engagements de disponibilité à long terme pour les conceptions critiques.