Renesas Electronics Corporation 71V016SA20BFI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 14.05 | Dhs. 14.05 |
| 15+ | Dhs. 13.62 | Dhs. 204.30 |
| 25+ | Dhs. 13.32 | Dhs. 333.00 |
| 50+ | Dhs. 12.58 | Dhs. 629.00 |
| 100+ | Dhs. 11.10 | Dhs. 1,110.00 |
| N+ | Dhs. 2.22 | Price Inquiry |
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Renesas 71V016SA20BFI - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit
La mémoire SRAM asynchrone 71V016SA20BFI de Renesas Electronics est une mémoire haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et un stockage de données volatiles fiable. Avec un temps d'accès de 20 ns et une interface parallèle, ce composant est idéal pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications où la vitesse et la fiabilité sont essentielles.
Caractéristiques principales
- Temps d'accès rapide de 20 ns - Permet une récupération de données à haute vitesse pour les applications critiques en termes de temps.
- Capacité de mémoire de 1 Mbit - Organisée en 64 Ko x 16 pour un stockage de données flexible
- Large plage de températures de fonctionnement - Conçu pour des environnements industriels de -40 °C à 85 °C (TA)
- Fonctionnement à basse tension – Alimentation de 3 V à 3,6 V pour une efficacité énergétique optimale
- Boîtier CMS - 48-CABGA (7x7 mm) pour circuits imprimés compacts
- Interface parallèle - Intégration simple avec les systèmes existants
Applications
Cette SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués, à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, aux équipements de réseau et aux systèmes de contrôle industriels nécessitant un stockage de données temporaire rapide et fiable avec une traçabilité complète et une conformité RoHS/REACH.
Spécifications techniques complètes
Documentation : Fiches techniques complètes, schémas de référence et assistance technique disponibles pour faciliter l'intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-LFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-CABGA (7x7) |
71V016SA20BFI.pdf