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71V016SA20PHGI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La 71V016SA20PHGI de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute vitesse et basse consommation, conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes. Grâce à son temps d'accès ultrarapide de 20 ns et à sa large plage de tension de fonctionnement (3 V à 3,6 V), ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables dans les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : configuration 64 Ko x 16 optimisée pour les interfaces de microcontrôleurs et de processeurs 16 bits
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V réduit la consommation d’énergie et la génération de chaleur.
  • Conception pour montage en surface : le boîtier 44-TSOP II permet des agencements de circuits imprimés compacts et un assemblage automatisé
  • Interface parallèle : architecture d’interface simple et éprouvée pour une intégration système aisée.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide, notamment les contrôleurs industriels, les équipements réseau, les infrastructures de télécommunications, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les systèmes d'acquisition de données. Sa conception asynchrone élimine la complexité de la synchronisation d'horloge tout en garantissant des performances exceptionnelles.

Qualité et conformité

Fabriqué par Renesas Electronics Corporation, leader mondial des solutions semi-conducteurs, le 71V016SA20PHGI répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS en matière de responsabilité environnementale. Chaque unité est testée minutieusement afin de garantir sa fiabilité à long terme en environnement de production.

Spécifications techniques

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Chez HQICKEY, nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute qualité, bénéficiant d'une longue durée de vie et d'un support technique dédié. Notre réseau de distribution mondial garantit des livraisons fiables pour vos besoins de production, appuyées par un contrôle qualité rigoureux et une vérification d'authenticité.

Ressources connexes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY