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25+ Dhs. 7.01 Dhs. 175.25
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Renesas 71V016SA20PHGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La 71V016SA20PHGI8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) de qualité supérieure de 1 Mbit conçue pour les applications embarquées et industrielles exigeantes nécessitant des solutions de mémoire volatile rapides, fiables et à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide : un temps d'accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal pour les systèmes à microcontrôleur et processeur 16 bits.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage de tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V est compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : un fonctionnement de -40 °C à 85 °C garantit une fiabilité optimale même dans des environnements difficiles.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 44-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm) minimise l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Interface parallèle : une interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les architectures existantes.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Ce groupe motopropulseur SRAM haute performance est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes embarqués nécessitant une mémoire tampon rapide
  • équipements de contrôle et d'automatisation industriels
  • Infrastructure de réseau et de télécommunications
  • Systèmes d'acquisition de données et d'instrumentation
  • Mémoire cache pour microprocesseurs et DSP
  • Applications d'enregistrement de données à haute vitesse

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Spécifications techniques

Assurance qualité et authenticité

Chaque unité 71V016SA20PHGI8 que nous fournissons est accompagnée d'une traçabilité complète du fabricant et de garanties d'authenticité. Nos processus de contrôle qualité rigoureux vous assurent de recevoir des composants Renesas authentiques qui respectent, voire dépassent, les spécifications d'origine.

Produits et ressources connexes

Explorez notre sélection complète de solutions de mémoire et de ressources techniques :

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY