Renesas Electronics Corporation 71V124SA10PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 355,884.59 | Dhs. 355,884.59 |
| 15+ | Dhs. 344,646.13 | Dhs. 5,169,691.95 |
| 25+ | Dhs. 337,153.82 | Dhs. 8,428,845.50 |
| 50+ | Dhs. 318,423.06 | Dhs. 15,921,153.00 |
| 100+ | Dhs. 280,961.52 | Dhs. 28,096,152.00 |
| N+ | Dhs. 56,192.30 | Price Inquiry |
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Renesas 71V124SA10PHG8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La 71V124SA10PHG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès et un cycle d'écriture ultrarapides de 10 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un accès et un traitement rapides des données.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 offre une architecture de stockage de données flexible
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3,15 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Boîtier compact : Boîtier de montage en surface 32-TSOP II (32-SOIC, largeur 0,400")
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications
Cette mémoire SRAM volatile est conçue pour les applications de systèmes embarqués exigeantes, notamment les contrôleurs d'automatisation industrielle, les calculateurs automobiles, l'avionique aérospatiale, les équipements d'imagerie médicale, les routeurs de réseau et les systèmes de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, où la fiabilité et les performances sont primordiales.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3,15 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-SOIC (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-TSOP II |
| RoHS |

71V124SA10PHG8.pdf