Renesas Electronics Corporation 71V124SA10TYG

Renesas 71V124SA10TYG - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit

La 71V124SA10TYG de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, ce circuit intégré de mémoire CMS offre un stockage volatil fiable pour les systèmes nécessitant un accès rapide aux données.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 1 Mbit (128 Ko x 8) avec interface parallèle
• Temps d'accès ultra-rapide de 10 ns pour des opérations à haute vitesse
• Plage de tension de fonctionnement de 3,15 V à 3,6 V
• température de fonctionnement (TA) de 0°C à 70°C
• Boîtier de montage en surface 32-BSOJ (largeur de 7,62 mm)
• Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale

Cette mémoire SRAM est idéale pour les applications aérospatiales, les systèmes de contrôle automobile, l'automatisation industrielle et l'informatique embarquée où un accès mémoire rapide et fiable est essentiel. Sa conception asynchrone simplifie l'intégration tandis que son boîtier compact 32-SOJ permet un gain de place précieux sur la carte.

Spécifications techniques

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