Renesas Electronics Corporation 71V124SA12TYGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.35 | Dhs. 8.35 |
| 15+ | Dhs. 8.10 | Dhs. 121.50 |
| 25+ | Dhs. 7.92 | Dhs. 198.00 |
| 50+ | Dhs. 7.48 | Dhs. 374.00 |
| 100+ | Dhs. 6.60 | Dhs. 660.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
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Renesas 71V124SA12TYGI8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La SRAM asynchrone 71V124SA12TYGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire de 1 Mbit à haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Grâce à un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les opérations à forte intensité de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Densité de mémoire optimale : une capacité de 1 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 8 offre un stockage de données flexible
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Conception pour montage en surface : boîtier 32-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) pour assemblage automatisé
- Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour un transfert de données à haut débit
- Conforme à la norme RoHS : Normes de fabrication respectueuses de l'environnement
Spécifications techniques
Applications
Cette mémoire SRAM haute vitesse est idéale pour :
- systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
- Électronique automobile et contrôleurs embarqués
- Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
- Équipements de télécommunications et de réseau
- Dispositifs médicaux nécessitant un stockage de données fiable
- Systèmes aérospatiaux et de défense
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
71V124SA12TYGI8.pdf