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15+ Dhs. 344,646.13 Dhs. 5,169,691.95
25+ Dhs. 337,153.82 Dhs. 8,428,845.50
50+ Dhs. 318,423.06 Dhs. 15,921,153.00
100+ Dhs. 280,961.52 Dhs. 28,096,152.00
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Renesas 71V124SA12YG8 - SRAM asynchrone haute fiabilité de 1 Mbit

La mémoire SRAM Renesas 71V124SA12YG8 est une mémoire vive statique (SRAM) haute performance de 1 mégabit conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Cette SRAM asynchrone offre une fiabilité et une vitesse exceptionnelles avec un temps d'accès de 12 nanosecondes, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage et une récupération rapides et non volatils des données.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre une gestion flexible des données
  • Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Applications idéales

Ce SRAM est parfaitement adapté pour :

  • systèmes de contrôle de vol et d'avionique aérospatiale
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure de télécommunications et dispositifs de réseau
  • Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY