Renesas Electronics Corporation 71V124SA15TYG

Renesas 71V124SA15TYG - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La 71V124SA15TYG de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute fiabilité de 1 Mbit conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile dispose d'une architecture 128K x 8 avec interface parallèle et offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 15 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
• Organisation flexible de la mémoire : la configuration 128 Ko x 8 optimise l’efficacité du stockage et de la récupération des données.
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Conception compacte : Boîtier CMS 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm)
• Interface parallèle : permet un transfert de données à haut débit pour les systèmes embarqués exigeants.

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute performance est conçue pour les applications exigeant un stockage de données rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications. Son architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système tout en garantissant des performances exceptionnelles.

Qualité et conformité

Fabriqué par Renesas Electronics Corporation, leader mondial des solutions semi-conducteurs, le 71V124SA15TYG répond aux normes de qualité les plus strictes pour les applications industrielles et commerciales. Conforme à la directive RoHS pour une démarche écoresponsable.

Produits associés

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