Renesas Electronics Corporation 71V124SA15TYGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.35 | Dhs. 8.35 |
| 15+ | Dhs. 8.10 | Dhs. 121.50 |
| 25+ | Dhs. 7.92 | Dhs. 198.00 |
| 50+ | Dhs. 7.48 | Dhs. 374.00 |
| 100+ | Dhs. 6.60 | Dhs. 660.00 |
| N+ | Dhs. 1.32 | Price Inquiry |
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Renesas 71V124SA15TYGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La SRAM asynchrone 71V124SA15TYGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire de 1 Mbit haut de gamme, conçue pour les applications à haute fiabilité exigeant un accès mémoire ultrarapide. Avec un temps d'accès exceptionnel de 15 ns et une organisation mémoire de 128 Ko x 8, cette SRAM à interface parallèle offre des performances remarquables pour les automates industriels, les systèmes automobiles, les processeurs embarqués et les applications critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation flexible : configuration 128 Ko x 8 optimisée pour le traitement des données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : -40 °C à 85 °C (TA) pour une fiabilité en environnement difficile
- Boîtier CMS : 32-BSOJ (0,300 pouce, largeur 7,62 mm) pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation.
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux calculateurs automobiles, aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux et à tout système embarqué nécessitant un accès mémoire déterministe à faible latence et une disponibilité à long terme.
Spécifications techniques
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Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs authentiques et de haute fiabilité, assortis d'un support technique dédié et d'une disponibilité à long terme. Notre vaste gamme de mémoires comprend des solutions EEPROM, Flash, DRAM et SRAM d'une capacité de 64 bits à 6 To, avec interfaces I²C, SPI et parallèles, pour les applications aérospatiales, automobiles et industrielles.
Ressources et assistance techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |

71V124SA15TYGI8.pdf