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15+ Dhs. 344,646.13 Dhs. 5,169,691.95
25+ Dhs. 337,153.82 Dhs. 8,428,845.50
50+ Dhs. 318,423.06 Dhs. 15,921,153.00
100+ Dhs. 280,961.52 Dhs. 28,096,152.00
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Renesas 71V124SA15YGI8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit

La 71V124SA15YGI8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre une architecture de stockage de données flexible
  • Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 3 V à 3,6 V pour une intégration système polyvalente.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels difficiles
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration aisée avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Boîtier CMS : 32-BSOJ (largeur de 10,16 mm) pour une intégration efficace sur circuit imprimé et un assemblage automatisé

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux systèmes embarqués nécessitant un stockage mémoire rapide et volatile, notamment les automates industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les systèmes avioniques aérospatiaux. Son architecture asynchrone élimine le besoin de synchronisation d'horloge, simplifiant ainsi la conception du système.

Spécifications techniques


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY