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Renesas 71V256SA12PZG8 - SRAM asynchrone haute vitesse 256 Kbits

La mémoire 71V256SA12PZG8 de Renesas Electronics Corporation offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Cette SRAM asynchrone haute vitesse se caractérise par un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et fonctionne avec une alimentation standard de 3 V à 3,6 V, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 32K x 8 offre une gestion flexible des données
  • Interface parallèle : Intégration simple aux architectures système existantes
  • Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Conception pour montage en surface : le boîtier TSSOP 28 broches permet des agencements de circuits imprimés compacts.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est conçue pour les environnements exigeants où l'intégrité des données et la vitesse sont primordiales. Applications courantes :

  • Systèmes de commandes de vol et avionique aérospatiale
  • Unités de commande des moteurs automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • Automatisation industrielle et contrôle des processus
  • Équipements de diagnostic médical et surveillance des patients
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Systèmes embarqués hautes performances

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Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire : SRAM, DRAM, Flash et autres produits de mémoire spécialisés. Consultez notre page d’accueil pour découvrir notre catalogue complet de semi-conducteurs ou notre rubrique Actualités et mises à jour pour les dernières informations techniques et annonces de produits.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 Kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 12ns
Temps d'accès 12 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY