Renesas Electronics Corporation 71V256SA12PZGI8

Renesas 71V256SA12PZGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute vitesse 256 kbits

Le circuit intégré 71V256SA12PZGI8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits conçue pour les applications industrielles et embarquées exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 12 ns et une organisation mémoire de 32 K x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour la mise en mémoire tampon des données, la mémoire cache et les systèmes de traitement en temps réel.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 12 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible : l’architecture 32 Ko x 8 offre une structure de mémoire adressable par octet optimale.
• Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour les environnements industriels
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration facile
• Boîtier CMS : Le boîtier TSOP 28 broches compact permet de gagner de la place sur la carte.
• Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb

Spécifications techniques

Applications

La mémoire SRAM 71V256SA12PZGI8 est idéale pour :

• systèmes de contrôle industriel et équipements d'automatisation
• Applications informatiques embarquées et microcontrôleurs
• Mise en mémoire tampon des données et mémoire cache
• Infrastructure de télécommunications
• Dispositifs et instruments médicaux
• Électronique automobile (plage de températures étendue)
• Systèmes d'acquisition de données en temps réel

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