Renesas Electronics Corporation 71V256SA15PZGI8

Renesas 71V256SA15PZGI8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La 71V256SA15PZGI8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) de 256 kbits haute fiabilité, conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et une organisation mémoire de 32 K x 8, ce circuit intégré de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles pour les opérations gourmandes en données nécessitant des cycles de lecture/écriture rapides.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une latence minimale pour les applications critiques en termes de temps.
• Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
• Large plage de fonctionnement : tolérance aux températures de qualité industrielle (-40 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
• Fonctionnement à faible consommation : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Interface parallèle : interface mémoire parallèle standard pour une intégration transparente
• Boîtier CMS : boîtier TSSOP 28 broches pour circuits imprimés compacts et assemblage automatisé
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.

Applications idéales

Cette carte SRAM haute vitesse est parfaitement adaptée pour :

• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Électronique automobile et contrôleurs embarqués
• Dispositifs IoT nécessitant une mise en mémoire tampon rapide des données
• Équipements de réseau et télécommunications
• Instrumentation médicale
• Systèmes d'acquisition de données

Spécifications techniques

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