Renesas Electronics Corporation 71V256SA20PZG

Renesas 71V256SA20PZG - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 256 kbits

La 71V256SA20PZG de Renesas Electronics est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits conçue pour les applications critiques exigeant un accès mémoire rapide et fiable. Grâce à son temps d'accès de 20 ns, le plus rapide du marché, et à son organisation mémoire robuste de 32 Ko x 8, cette SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications et l'électronique automobile.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
• Organisation flexible : architecture 32 Ko x 8 optimisée pour le traitement des données à l’échelle de l’octet
• Large plage de tension : fonctionnement de 3 V à 3,6 V compatible avec les conceptions modernes à faible consommation.
• Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C pour les environnements exigeants
• Montage en surface compact : le boîtier TSOP 28 permet de gagner de la place sur la carte dans les configurations denses.
• Interface parallèle : connectivité simple et éprouvée pour une intégration directe

Applications

Idéal pour l'avionique aérospatiale, les calculateurs automobiles, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, l'infrastructure des télécommunications et les systèmes embarqués à haute fiabilité nécessitant une mise en mémoire tampon et une mise en cache des données rapides et non volatiles.

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Spécifications techniques

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