Renesas Electronics Corporation 71V256SA20PZG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.58 | Dhs. 11.58 |
| 15+ | Dhs. 11.21 | Dhs. 168.15 |
| 25+ | Dhs. 10.96 | Dhs. 274.00 |
| 50+ | Dhs. 10.35 | Dhs. 517.50 |
| 100+ | Dhs. 9.14 | Dhs. 914.00 |
| N+ | Dhs. 1.83 | Price Inquiry |
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Renesas 71V256SA20PZG8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits
La 71V256SA20PZG8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 256 kbits, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns et une organisation mémoire de 32 K x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
- Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
- Large plage de tension de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
- Boîtier CMS : 28-TSSOP (0,465 pouce, largeur 11,80 mm) / 28-TSOP pour des circuits imprimés compacts
- Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications et cas d'utilisation
La mémoire SRAM 71V256SA20PZG8 est parfaitement adaptée pour :
- mémoire cache et tampon du système embarqué
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Unités de commande électroniques automobiles (ECU)
- Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
- Infrastructure du réseau de télécommunications
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- Acquisition de données et instrumentation
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 256 kbits |
| Organisation de la mémoire | 32K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 28-TSOP |
| RoHS |

71V256SA20PZG8.pdf