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Renesas 71V256SA20PZG8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 256 kbits

La 71V256SA20PZG8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone haute fiabilité de 256 kbits, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications. Cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 20 ns et une organisation mémoire de 32 K x 8, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de mémoire volatile rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation de la mémoire flexible : configuration 32 Ko x 8 optimisée pour les opérations de données à l’échelle de l’octet
  • Large plage de tension de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour une compatibilité avec les conceptions modernes à faible consommation.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA) pour les environnements exigeants.
  • Boîtier CMS : 28-TSSOP (0,465 pouce, largeur 11,80 mm) / 28-TSOP pour des circuits imprimés compacts
  • Interface parallèle : L’interface mémoire parallèle standard simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs et les processeurs.
  • Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial

Spécifications techniques

Applications et cas d'utilisation

La mémoire SRAM 71V256SA20PZG8 est parfaitement adaptée pour :

  • mémoire cache et tampon du système embarqué
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Unités de commande électroniques automobiles (ECU)
  • Équipements de diagnostic et de surveillance médicale
  • Infrastructure du réseau de télécommunications
  • Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
  • Acquisition de données et instrumentation

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Ressources connexes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 256 kbits
Organisation de la mémoire 32K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 28-TSSOP (0,465", largeur 11,80 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 28-TSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY