Renesas Electronics Corporation 71V416L10BE8

Renesas 71V416L10BE8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La 71V416L10BE8 de Renesas Electronics est une SRAM asynchrone haute vitesse de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable. Avec un temps d'accès ultrarapide de 10 ns et une organisation en 256 Ko x 16, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, l'automatisation industrielle, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.

Principales caractéristiques et avantages

• Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
• Organisation flexible : configuration 256K x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
• Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
• Montage en surface compact : le boîtier 48-CABGA (9 x 9 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
• Large plage de températures de fonctionnement : de 0 °C à 70 °C, adaptée aux environnements commerciaux et industriels.
• Interface parallèle : une interface simple et éprouvée pour une intégration directe.

Applications idéales

Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée aux systèmes aérospatiaux, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux dispositifs médicaux, aux équipements de réseau et à toute application nécessitant un accès mémoire rapide et déterministe avec une longue durée de vie.

Spécifications techniques complètes

En tant que distributeur agréé Renesas, nous fournissons des composants authentiques avec une traçabilité complète, un support technique et un engagement sur le long terme pour vos applications critiques.

• 71V416L10BE8.pdf