Renesas Electronics Corporation 71V416L10YGI
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.93 | Dhs. 16.93 |
| 15+ | Dhs. 16.40 | Dhs. 246.00 |
| 25+ | Dhs. 16.05 | Dhs. 401.25 |
| 50+ | Dhs. 15.16 | Dhs. 758.00 |
| 100+ | Dhs. 13.37 | Dhs. 1,337.00 |
| N+ | Dhs. 2.67 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
Renesas 71V416L10YGI - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La 71V416L10YGI de Renesas Electronics est une mémoire SRAM 4 Mbit haute vitesse conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant un accès mémoire rapide et fiable. Grâce à un temps d'accès exceptionnel de 10 ns et à une interface parallèle asynchrone, cette SRAM offre des performances supérieures pour les systèmes de contrôle industriel, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données à haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 10 ns garantit une latence minimale pour les opérations critiques.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 256 Ko x 16 offre une gestion flexible des données
- Large plage de fonctionnement : plage de températures de -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions écoénergétiques
- Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ/SOJ pour un assemblage automatisé et un gain de place.
- Interface asynchrone : synchronisation et contrôle simplifiés pour une intégration système aisée
Applications idéales
Idéal pour les mémoires cache haute vitesse, les routeurs et commutateurs réseau, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements d'imagerie médicale, les systèmes aérospatiaux et de défense, et les infrastructures de télécommunications.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir Renesas SRAM ?
Renesas Electronics est un leader mondial des solutions semi-conducteurs, reconnu pour son exceptionnelle qualité, son support technique à long terme et sa fiabilité éprouvée dans les applications critiques. La mémoire 71V416L10YGI bénéficie de plusieurs décennies d'expertise en conception, offrant des performances constantes et une traçabilité complète pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et de l'industrie.
Besoin d'assistance technique ou de tarifs dégressifs ? Contactez notre équipe pour obtenir des fiches techniques, des notes d'application et des solutions personnalisées adaptées aux exigences de votre projet.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Tube | Tube |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
71V416L10YGI.pdf