Renesas Electronics Corporation 71V416L10YGI8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.37 | Dhs. 16.37 |
| 15+ | Dhs. 15.85 | Dhs. 237.75 |
| 25+ | Dhs. 15.51 | Dhs. 387.75 |
| 50+ | Dhs. 14.65 | Dhs. 732.50 |
| 100+ | Dhs. 12.92 | Dhs. 1,292.00 |
| N+ | Dhs. 2.58 | Price Inquiry |
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Renesas 71V416L10YGI8 - Mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit
La 71V416L10YGI8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique (SRAM) de 4 mégabits à haute vitesse et faible consommation, conçue pour les applications embarquées exigeantes nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable avec accès à une interface parallèle.
Caractéristiques principales
- Temps d'accès rapide : un temps d'accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Organisation flexible : architecture mémoire 256 Ko x 16 optimisée pour les systèmes de bus de données 16 bits
- Large plage de fonctionnement : Température de fonctionnement industrielle (-40 °C à 85 °C), adaptée aux environnements difficiles.
- Fonctionnement à basse tension : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V pour des conceptions économes en énergie
- Boîtier CMS : boîtier 44-BSOJ pour l’assemblage automatisé et les agencements de circuits imprimés compacts.
Applications typiques
- Systèmes électroniques automobiles et ADAS
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Infrastructure de télécommunications
- Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Mémoire cache et mise en mémoire tampon de données à haute vitesse
Spécifications techniques
Qualité et fiabilité
En tant que distributeur agréé de composants électroniques Renesas, nous fournissons des pièces neuves, entièrement traçables, accompagnées d'une documentation complète et d'un support technique tout au long de leur cycle de vie. Chaque unité est conditionnée en bobine pour un assemblage automatisé.
Assistance à la conception
Notre équipe technique peut vous accompagner dans le choix des composants, l'intégration et l'application de votre système afin d'en optimiser les performances. Contactez-nous pour obtenir les fiches techniques, les schémas de référence et les tarifs dégressifs.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 4 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 10 ns |
| Temps d'accès | 10 ns |
| Tension - Alimentation | 3V ~ 3,6V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-SOJ |
71V416L10YGI8.pdf