Renesas Electronics Corporation 71V416YS10PHG

Renesas 71V416YS10PHG - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 4 Mbit

La 71V416YS10PHG de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) haute performance de 4 Mbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile dispose d'une architecture 256K x 16 avec interface parallèle, offrant une vitesse exceptionnelle avec un temps d'accès et un temps de cycle d'écriture de 10 ns.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances ultra-rapides : un temps d’accès de 10 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
• Organisation flexible de la mémoire : configuration 256 Ko x 16 optimisée pour les architectures de bus de données 16 bits
• Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 3 V à 3,6 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
• Conception fiable pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour des agencements de circuits imprimés compacts.
• Interface parallèle : accès direct à la mémoire pour les systèmes embarqués haute vitesse et les applications de microcontrôleurs
• Disponibilité prolongée du cycle de vie : l’engagement de Renesas en faveur d’une disponibilité étendue des produits pour les infrastructures critiques.

Applications typiques

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, l'avionique aérospatiale et les systèmes informatiques haute performance où le stockage non volatil n'est pas requis.

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