Alliance Memory, Inc. AS1C512K16P-70BINTR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 8.95
Prix habituel Dhs. 9.44 Prix promotionnel Dhs. 8.95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 8.95 Dhs. 8.95
15+ Dhs. 8.68 Dhs. 130.20
25+ Dhs. 8.50 Dhs. 212.50
50+ Dhs. 8.02 Dhs. 401.00
100+ Dhs. 7.08 Dhs. 708.00
N+ Dhs. 1.42 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

AS1C512K16P-70BINTR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbit

Le circuit intégré de mémoire PSRAM (pseudo SRAM) AS1C512K16P-70BINTR d'Alliance Memory est un circuit intégré de 8 Mbits haute fiabilité, conçu pour les applications embarquées et critiques. Cette solution de mémoire volatile combine la haute densité de la DRAM avec la simplicité d'utilisation de la SRAM, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant une mémoire rapide et fiable sans la complexité des cycles de rafraîchissement de la DRAM.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 8 Mbit : organisée en 512 Ko x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
  • Temps d'accès ultrarapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques en temps réel dans les systèmes industriels, automobiles et de télécommunications.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 2,6 V à 3,3 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
  • Plage de température étendue : le fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantit des performances fiables dans les environnements industriels difficiles.
  • Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et autres processeurs embarqués.
  • Boîtier compact 48 FPBGA : son format de 6 x 7 mm optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
  • Technologie de montage en surface : facilite l’assemblage automatisé et la production en grande série
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour un déploiement sur le marché mondial

Applications idéales

Le AS1C512K16P-70BINTR est conçu pour les applications exigeantes, notamment :

  • Systèmes aérospatiaux et avioniques nécessitant une mémoire à haute fiabilité
  • Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
  • Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées et dispositifs IoT

Spécifications techniques

Pourquoi choisir Alliance Memory ?

Alliance Memory est spécialisée dans les solutions de mémoire haute qualité et longue durée de vie pour les applications critiques. Ses produits PSRAM offrent les performances et la fiabilité requises pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical, où la moindre défaillance est inacceptable.

Informations de commande

Le modèle AS1C512K16P-70BINTR est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les productions en grande série. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir une assistance technique.


Produits et ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs :

  • Collection de circuits intégrés mémoire - Découvrez notre sélection complète de solutions de mémoire SRAM, DRAM, PSRAM et Flash
  • Accueil HQICKEY - Découvrez des composants semi-conducteurs haut de gamme pour systèmes embarqués et critiques.
  • Blog technique - Consultez les derniers articles techniques, notes d'application et analyses du secteur.
Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire PSRAM
Technologie PSRAM (Pseudo SRAM)
Taille de la mémoire 8 Mbits
Organisation de la mémoire 512K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 70ns
Temps d'accès 70 ns
Tension - Alimentation 2,6 V ~ 3,3 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 48-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 48-FPBGA (6x7)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY