Alliance Memory, Inc. AS1C512K16P-70BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.95 | Dhs. 8.95 |
| 15+ | Dhs. 8.68 | Dhs. 130.20 |
| 25+ | Dhs. 8.50 | Dhs. 212.50 |
| 50+ | Dhs. 8.02 | Dhs. 401.00 |
| 100+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 708.00 |
| N+ | Dhs. 1.42 | Price Inquiry |
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AS1C512K16P-70BINTR - Circuit intégré de mémoire PSRAM haute performance de 8 Mbit
Le circuit intégré de mémoire PSRAM (pseudo SRAM) AS1C512K16P-70BINTR d'Alliance Memory est un circuit intégré de 8 Mbits haute fiabilité, conçu pour les applications embarquées et critiques. Cette solution de mémoire volatile combine la haute densité de la DRAM avec la simplicité d'utilisation de la SRAM, ce qui la rend idéale pour les applications exigeant une mémoire rapide et fiable sans la complexité des cycles de rafraîchissement de la DRAM.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité mémoire de 8 Mbit : organisée en 512 Ko x 16, offrant un espace de stockage suffisant pour les applications embarquées gourmandes en données.
- Temps d'accès ultrarapide de 70 ns : garantit une récupération rapide des données pour les opérations critiques en temps réel dans les systèmes industriels, automobiles et de télécommunications.
- Large plage de tension de fonctionnement : la tension d’alimentation de 2,6 V à 3,3 V prend en charge diverses architectures système et les conceptions à faible consommation.
- Plage de température étendue : le fonctionnement de -40 °C à 85 °C (TA) garantit des performances fiables dans les environnements industriels difficiles.
- Interface parallèle : simplifie l’intégration avec les microcontrôleurs, les FPGA et autres processeurs embarqués.
- Boîtier compact 48 FPBGA : son format de 6 x 7 mm optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Technologie de montage en surface : facilite l’assemblage automatisé et la production en grande série
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour un déploiement sur le marché mondial
Applications idéales
Le AS1C512K16P-70BINTR est conçu pour les applications exigeantes, notamment :
- Systèmes aérospatiaux et avioniques nécessitant une mémoire à haute fiabilité
- Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs médicaux et équipements de diagnostic
- Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées et dispositifs IoT
Spécifications techniques
Pourquoi choisir Alliance Memory ?
Alliance Memory est spécialisée dans les solutions de mémoire haute qualité et longue durée de vie pour les applications critiques. Ses produits PSRAM offrent les performances et la fiabilité requises pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical, où la moindre défaillance est inacceptable.
Informations de commande
Le modèle AS1C512K16P-70BINTR est disponible en conditionnement sur bande et bobine pour les productions en grande série. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les délais de livraison et obtenir une assistance technique.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 2,6 V ~ 3,3 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-FPBGA (6x7) |
| RoHS |

AS1C512K16P-70BINTR.pdf