Alliance Memory, Inc. AS1C512K16PL-70BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 8.95 | Dhs. 8.95 |
| 15+ | Dhs. 8.68 | Dhs. 130.20 |
| 25+ | Dhs. 8.50 | Dhs. 212.50 |
| 50+ | Dhs. 8.02 | Dhs. 401.00 |
| 100+ | Dhs. 7.08 | Dhs. 708.00 |
| N+ | Dhs. 1.42 | Price Inquiry |
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AS1C512K16PL-70BINTR - Circuit intégré de mémoire PSRAM 8 Mbit haute fiabilité
La puce AS1C512K16PL-70BINTR d'Alliance Memory est une mémoire PSRAM (Pseudo SRAM) 8 Mbit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile haute vitesse et basse consommation. Cette PSRAM à interface parallèle offre une fiabilité exceptionnelle pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : temps d’accès et temps de cycle d’écriture de 70 ns pour un traitement rapide des données
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 512 Ko x 16 offre une gestion flexible des données
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d’énergie.
- Large plage de températures : -30 °C à 85 °C (TA) garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : le VFBGA 48 (6 x 7 mm) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire PSRAM est idéal pour les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques de périphérie IoT.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | PSRAM |
| Technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Taille de la mémoire | 8 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 512K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
| Temps d'accès | 70 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 48-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 48-FBGA (6x7) |
| RoHS |  |
AS1C512K16PL-70BINTR.pdf