Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LB-12BCNTR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L Alliance Memory AS4C128M16D3LB-12BCNTR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit hautes performances, conçu pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire fiables et basse consommation. Ce circuit intégré Alliance Memory IC dispose d'une architecture 128 Mbits x 16 et d'une fréquence d'horloge de 800 MHz, ce qui le rend idéal pour les systèmes industriels, automobiles, médicaux et embarqués.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 2 Gbit - Organisation 128 Mo x 16 pour une conception système flexible
• Technologie basse tension DDR3L - Tension d'alimentation de 1,283 V à 1,45 V pour une consommation d'énergie réduite
• Fréquence d'horloge de 800 MHz - Performances haute vitesse avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
• Boîtier 96-FBGA - Boîtier compact de montage en surface de 8 x 13 mm pour les conceptions à espace restreint
• Large plage de températures de fonctionnement - 0 °C à 95 °C (TC) pour les applications industrielles
• Conforme à la norme RoHS – Respectueux de l’environnement, conforme aux normes internationales

Applications :

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'électronique automobile, des systèmes de contrôle industriels, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et des plateformes informatiques embarquées nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète.

Spécifications techniques complètes :

Référence : AS4C128M16D3LB-12BCNTR
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
Conformité : conforme aux normes RoHS/REACH avec traçabilité complète

• AS4C128M16D3LB-12BCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit 128 Mx16 800 MHz 96-FBGA.pdf