Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2A-25BINTR

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 400 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 400 ch
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-FBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Alliance Memory AS4C128M8D2A-25BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit

L'AS4C128M8D2A-25BINTR est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit hautes performances d'Alliance Memory, Inc. Doté d'une architecture 128M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 400 MHz, ce composant DRAM volatil offre des performances mémoire fiables pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées. Conditionné en boîtier CMS 60-TFBGA (8x10) compact, avec une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 95 °C, ce circuit intégré est idéal pour les conceptions à long cycle de vie exigeant une alimentation stable et une traçabilité complète du fabricant.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire SDRAM DDR2 de 1 Gbit avec une organisation de mémoire de 128 Mo x 8
  • Fréquence d'horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 95 °C (TC)
  • Boîtier de montage en surface 60-FBGA (8x10)
  • Conforme à la norme RoHS, stock du distributeur agréé
  • Documentation complète du fabricant et traçabilité

Spécifications techniques :