Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D2A-25BINTR

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel Dhs. 17.94
Prix habituel Dhs. 18.88 Prix promotionnel Dhs. 17.94
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 17.94 Dhs. 17.94
15+ Dhs. 17.37 Dhs. 260.55
25+ Dhs. 16.99 Dhs. 424.75
50+ Dhs. 16.05 Dhs. 802.50
100+ Dhs. 14.16 Dhs. 1,416.00
N+ Dhs. 2.83 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 128M x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 400 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 400 ch
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-FBGA (8x10)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

Alliance Memory AS4C128M8D2A-25BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit

L'AS4C128M8D2A-25BINTR est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit hautes performances d'Alliance Memory, Inc. Doté d'une architecture 128M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 400 MHz, ce composant DRAM volatil offre des performances mémoire fiables pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées. Conditionné en boîtier CMS 60-TFBGA (8x10) compact, avec une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 95 °C, ce circuit intégré est idéal pour les conceptions à long cycle de vie exigeant une alimentation stable et une traçabilité complète du fabricant.

Caractéristiques principales :

  • Mémoire SDRAM DDR2 de 1 Gbit avec une organisation de mémoire de 128 Mo x 8
  • Fréquence d'horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
  • Plage de températures industrielles : -40 °C à 95 °C (TC)
  • Boîtier de montage en surface 60-FBGA (8x10)
  • Conforme à la norme RoHS, stock du distributeur agréé
  • Documentation complète du fabricant et traçabilité

Spécifications techniques :