Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D1A-5TINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.61 | Dhs. 11.61 |
| 15+ | Dhs. 11.23 | Dhs. 168.45 |
| 25+ | Dhs. 10.99 | Dhs. 274.75 |
| 50+ | Dhs. 10.38 | Dhs. 519.00 |
| 100+ | Dhs. 9.16 | Dhs. 916.00 |
| N+ | Dhs. 1.83 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 700 ch |
| Tension - Alimentation | 2,3 V ~ 2,7 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 66-TSSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 66-TSOP II |
| RoHS |  |
Alliance Memory AS4C16M16D1A-5TINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance
La mémoire AS4C16M16D1A-5TINTR d'Alliance Memory offre des performances fiables en mémoire DDR SDRAM 256 Mbit pour les applications industrielles, automobiles et critiques. Conçue avec une architecture mémoire 16M x 16 et une fréquence d'horloge de 200 MHz, cette puce DRAM volatile garantit des temps d'accès rapides (700 ps) et une connectivité d'interface parallèle efficace pour les systèmes embarqués nécessitant un traitement de données à haute vitesse.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantissent un débit de données rapide pour les applications exigeantes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 66-TSOP II (0,400 pouce, largeur de 10,16 mm) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
- Large plage de tension : la tension d’alimentation de 2,3 V à 2,7 V prend en charge les architectures de systèmes basse consommation.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR SDRAM est idéal pour :
- Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
- Électronique automobile et infodivertissement
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes aérospatiaux et de défense
- Plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité
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