Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 11.46 | Dhs. 11.46 |
| 15+ | Dhs. 11.10 | Dhs. 166.50 |
| 25+ | Dhs. 10.85 | Dhs. 271.25 |
| 50+ | Dhs. 10.25 | Dhs. 512.50 |
| 100+ | Dhs. 9.05 | Dhs. 905.00 |
| N+ | Dhs. 1.81 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR2 |
| Taille de la mémoire | 256 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ch |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,9 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 84-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 84-TFBGA (8x12,5) |
| RoHS |
AS4C16M16D2-25BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance
Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 256 Mbit AS4C16M16D2-25BINTR d'Alliance Memory, Inc. est un dispositif haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 400 MHz et une organisation 16M x 16, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un accès aux données rapide et fiable.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 400 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 400 ps garantissent un traitement rapide des données.
- Plage de fonctionnement robuste : plage de températures étendue (-40 °C à 95 °C) pour les environnements industriels difficiles
- Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement stable et écoénergétique.
- Conception à montage en surface : boîtier 84-TFBGA (8 x 12,5 mm) optimisé pour les applications à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
- Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration transparente
Spécifications techniques
Applications
Ce circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
- Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
- Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
- Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
- Infrastructure de télécommunications
- Plateformes informatiques embarquées
Pourquoi choisir HQICKEY ?
Distributeur agréé de semi-conducteurs haute fiabilité, HQICKEY fournit des composants Alliance Memory authentiques, avec traçabilité complète, support technique longue durée, assistance à l'intégration et livraison internationale rapide. Chaque composant provient directement des fabricants, garantissant ainsi son authenticité et sa qualité.
Produits et ressources connexes
Explore our complete range of memory semiconductor solutions including SRAM, DRAM, Flash, and EEPROM devices. Visit our homepage to discover more high-reliability components for your critical applications, or check our latest news and technical updates for industry insights and product announcements.

AS4C16M16D2-25BINTR.pdf