Alliance Memory, Inc. AS4C16M16D2-25BINTR

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15+ Dhs. 11.10 Dhs. 166.50
25+ Dhs. 10.85 Dhs. 271.25
50+ Dhs. 10.25 Dhs. 512.50
100+ Dhs. 9.05 Dhs. 905.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 400 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 400 ch
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 84-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 84-TFBGA (8x12,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

AS4C16M16D2-25BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 256 Mbit AS4C16M16D2-25BINTR d'Alliance Memory, Inc. est un dispositif haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 400 MHz et une organisation 16M x 16, ce qui la rend idéale pour les systèmes nécessitant un accès aux données rapide et fiable.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 400 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 400 ps garantissent un traitement rapide des données.
  • Plage de fonctionnement robuste : plage de températures étendue (-40 °C à 95 °C) pour les environnements industriels difficiles
  • Alimentation fiable : tension de fonctionnement de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement stable et écoénergétique.
  • Conception à montage en surface : boîtier 84-TFBGA (8 x 12,5 mm) optimisé pour les applications à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
  • Interface parallèle : Interface mémoire parallèle standard pour une intégration transparente

Spécifications techniques

Applications

Ce circuit intégré de mémoire DDR2 SDRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
  • Systèmes électroniques et d'infodivertissement automobiles
  • Équipements d'automatisation et de contrôle industriels
  • Dispositifs de diagnostic et d'imagerie médicale
  • Infrastructure de télécommunications
  • Plateformes informatiques embarquées

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